أكسيد الغاليوم (I)

أكسيد الغاليوم (I) أو أكسيد الغاليوم الثنائي أو أكسيد الغاليوم الفرعي هو مركب غير عضوي له الصيغة Ga ₂ O.

يمكن إنتاج أكسيد الغاليوم (I) عن طريق تفاعل أكسيد الغاليوم (III) مع الغاليوم المسخن في الفراغ: ^{[ 4 ]}

${\displaystyle \mathrm {Ga_{2}O_{3}+4\ Ga\longrightarrow 3\ Ga_{2}O} }$

ويمكن الحصول عليه أيضًا عن طريق تفاعل الغاليوم مع ثاني أكسيد الكربون في الفراغ عند درجة حرارة 850 درجة مئوية. ^{[ 5 ]}

${\displaystyle \mathrm {2\ Ga+CO_{2}\longrightarrow Ga_{2}O+CO} }$

أكسيد الغاليوم (I) هو منتج ثانوي في إنتاج رقائق زرنيخيد الغاليوم : ^{[ 6 ] [ 7 ]}

${\displaystyle \mathrm {4\ Ga+SiO_{2}\longrightarrow 2\ Ga_{2}O+Si} }$

أكسيد الغاليوم الأحادي مادة صلبة بنية سوداء غير مغناطيسية ، مقاومة للأكسدة في الهواء الجاف. يبدأ بالتحلل عند تسخينه في درجات حرارة أعلى من 500 درجة مئوية، ويعتمد معدل التحلل على الظروف المحيطة (الفراغ، الغاز الخامل، الهواء). ^{[ 4 ]}