ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (RDRAM)

بالمقارنة مع المعايير المعاصرة الأخرى، أظهرت تقنية رامبوس زيادة في زمن الاستجابة، وانبعاث الحرارة، وتعقيد التصنيع، والتكلفة. ونظرًا لتعقيد دوائر الربط وزيادة عدد وحدات الذاكرة، كان حجم شريحة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المُعاد تدويرها (RDRAM) أكبر من حجم شرائح ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المُعاد تدويرها (SDRAM) المعاصرة، مما أدى إلى زيادة في السعر تتراوح بين 10 و  20% عند كثافة 16 ميغابت (مع زيادة تقارب 5% عند كثافة 64  ميغابت). ^{[ 2 ]} تجدر الإشارة إلى أن أكثر كثافات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المُعاد تدويرها شيوعًا هي 128  ميغابت و256  ميغابت.

عملت ذاكرة PC-800 RDRAM بزمن استجابة يبلغ 45 نانوثانية ، وهو أعلى من زمن استجابة أنواع ذاكرة SDRAM الأخرى في ذلك الوقت. كما أنتجت رقائق ذاكرة RDRAM حرارة أكبر بكثير من رقائق SDRAM، مما استلزم استخدام مشتتات حرارية في جميع وحدات RIMM. تضمنت RDRAM دوائر إضافية (مثل وحدات فك تشفير الحزم) على كل رقاقة، مما زاد من تعقيد عملية التصنيع مقارنةً بـ SDRAM. وكانت RDRAM أغلى بأربعة أضعاف من ذاكرة PC-133 SDRAM نتيجةً لارتفاع تكاليف التصنيع ورسوم الترخيص. أما ذاكرة PC-2100 DDR SDRAM ، التي طُرحت عام 2000، فكانت تعمل بتردد ساعة يبلغ 133 ميجاهرتز، وتوفر سرعة نقل بيانات تبلغ 2100 ميجابايت/ثانية عبر ناقل بيانات 64 بت باستخدام وحدة DIMM ذات 184 طرفًا.   

مع طرح شرائح Intel 840 (Pentium  III) و Intel 850 (Pentium  4) وIntel  860 (Pentium  4 Xeon)، أضافت Intel دعمًا لذاكرة RDRAM ثنائية القناة من نوع PC-800، مما ضاعف عرض النطاق الترددي إلى 3200  ميجابايت/ثانية بزيادة عرض ناقل البيانات إلى 32  بت. تبع ذلك في عام 2002 شريحة Intel 850E التي قدمت ذاكرة RDRAM من نوع PC-1066، مما زاد إجمالي عرض النطاق الترددي ثنائي القناة إلى 4200  ميجابايت/ثانية. وفي عام 2002 أيضًا، أصدرت Intel شريحة E7205 Granite Bay التي قدمت دعمًا لذاكرة DDR ثنائية القناة (بعرض نطاق ترددي إجمالي يبلغ 4200  ميجابايت/ثانية) بزمن استجابة أقل قليلًا من ذاكرة RDRAM المنافسة. وقد تساوى عرض النطاق الترددي لشريحة Granite Bay مع شريحة i850E التي تستخدم ذاكرة RDRAM من نوع PC-1066، مع زمن استجابة أقل بكثير.

لتحقيق  معدل تردد الساعة البالغ 800 ميجاهرتز لذاكرة RDRAM، تعمل وحدة الذاكرة على ناقل بيانات 16 بت بدلاً من ناقل بيانات 64 بت المستخدم في وحدات SDRAM DIMM الحديثة. عند  إطلاق معالج Intel 820، كانت بعض وحدات RDRAM تعمل بمعدلات أقل من 800  ميجاهرتز.

أظهرت اختبارات الأداء التي أُجريت عامي 1998 و1999 أن معظم التطبيقات اليومية تعمل ببطء طفيف عند استخدام ذاكرة RDRAM. وفي عام 1999، خلصت اختبارات الأداء التي قارنت بين شرائح Intel  840 وIntel  820 RDRAM وشريحة Intel 440BX SDRAM إلى أن تحسن أداء RDRAM لا يبرر تكلفتها مقارنةً بـ SDRAM، باستثناء استخدامها في محطات العمل. وفي عام 2001، أشارت اختبارات الأداء إلى أن وحدات DDR266 SDRAM أحادية القناة يمكن أن تُضاهي تقريبًا أداء وحدات RDRAM ثنائية القناة بتردد 800  ميجاهرتز في التطبيقات اليومية. ^{[ 3 ]}

في نوفمبر 1996، أبرمت شركة رامبوس عقد تطوير وترخيص مع شركة إنتل. ^{[ 4 ]} أعلنت إنتل أنها ستدعم فقط واجهة ذاكرة رامبوس لمعالجاتها الدقيقة ^{[ 5 ]} ، وأنها مُنحت حقوق شراء مليون سهم من أسهم رامبوس بسعر 10 دولارات للسهم الواحد. ^{[ 6 ]}

كاستراتيجية انتقالية، خططت إنتل لدعم وحدات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة (SDRAM) من نوع PC-100 على  شرائح إنتل 82x المستقبلية باستخدام وحدة ترجمة الذاكرة (MTH). ^{[ 7 ]} في عام 2000، سحبت إنتل  اللوحة الأم Intel 820، التي كانت مزودة بوحدة MTH، من الأسواق بسبب حالات توقف النظام وإعادة التشغيل التلقائي التي تحدث أحيانًا نتيجةً لضوضاء التبديل المتزامن . ^{[ 8 ]} ومنذ ذلك الحين، لم تعد أي من اللوحات الأم Intel  820 المُنتجة تحتوي على وحدة MTH.

في عام 2000، بدأت شركة إنتل بدعم تقنية RDRAM من خلال تضمين علب بيع بالتجزئة من معالجات بنتيوم 4 مع وحدتي RIMM. ^{[ 9 ]} وبدأت إنتل بالتخلص التدريجي من هذه الإعانات في عام 2001. ^{[ 10 ]}

في عام 2003، طرحت إنتل شريحتي 865 و875 اللتين تدعمان ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ثنائية القناة (DDR SDRAM)، وتم تسويقهما كبديلين متطورين لشريحة 850. علاوة على ذلك، لم تتضمن خارطة طريق الذاكرة المستقبلية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (RDRAM). ^{[ 11 ]}

استُخدمت ذاكرة الوصول العشوائي المُعاد توصيلها (RDRAM) من شركة رامبوس في جهازي ألعاب فيديو، بدءًا من عام 1996 مع جهاز نينتندو 64. استخدم جهاز نينتندو ذاكرة RDRAM بسعة 4 ميجابايت تعمل بتردد 500 ميجاهرتز على ناقل بيانات 9 بت، مما يوفر عرض نطاق ترددي يبلغ 500 ميجابايت/ثانية. سمحت ذاكرة RDRAM لجهاز N64 بتوفير عرض نطاق ترددي كبير للذاكرة مع الحفاظ على تكلفة منخفضة بفضل بساطة التصميم. كما سمح ناقل البيانات الضيق لذاكرة RDRAM لمصممي لوحات الدوائر باستخدام تقنيات تصميم أبسط لتقليل التكلفة. مع ذلك، لم تكن هذه الذاكرة مرغوبة بسبب زمن الوصول العشوائي العالي. في جهاز N64، يتم تبريد وحدات RDRAM بواسطة مُشتت حراري سلبي. ^{[ 12 ]} كما أضافت نينتندو إمكانية ترقية ذاكرة النظام باستخدام ملحق Expansion Pak ، مما يسمح بتحسين بعض الألعاب إما برسومات محسّنة أو دقة أعلى أو معدل إطارات أكبر. تم تضمين وحدة Jumper Pak الوهمية مع وحدة التحكم بسبب عيوب التصميم المذكورة سابقًا لـ RDRAM.   

تم تجهيز جهاز سوني بلاي ستيشن 2  بذاكرة RDRAM سعة 32 ميجابايت، وتم تطبيق تكوين ثنائي القناة مما أدى إلى  عرض نطاق ترددي متاح يبلغ 3200 ميجابايت/ثانية.

تم استخدام ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (RDRAM) في أنظمة معالجة الضوء الرقمي (DLP) من شركة تكساس إنسترومنتس . ^{[ 13 ]}

قامت شركة سيروس لوجيك بتطبيق دعم ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (RDRAM) في شريحة الرسومات لاجونا ، وذلك من خلال شريحتين من هذه العائلة: الشريحة 5462 ثنائية الأبعاد فقط، والشريحة 5464 ثنائية الأبعاد مع تسريع ثلاثي الأبعاد. تحتوي كلتا الشريحتين على  ذاكرة بسعة 2 ميجابايت ومنفذ PCI . أما شريحة سيروس لوجيك GD5465، فتتميز  بذاكرة رامبوس موسعة بسعة 4 ميجابايت، ودعم الذاكرة ثنائية القناة، واستخدام منفذ AGP الأسرع . ^{[ 14 ]} وقد وفرت ذاكرة RDRAM تجربة استخدام أسرع من تقنيات DRAM المنافسة بفضل عرض النطاق الترددي العالي. استُخدمت هذه الشرائح في سلسلة بطاقات الرسومات Creative Graphics Blaster MA3xx، وغيرها.