المصرف المشترك

في مجال الإلكترونيات ، يُعدّ مُضخّم المصرف المشترك ، المعروف أيضًا باسم مُتّبع المصدر ، أحدَ ثلاثة أنواع أساسية من مُضخّمات الترانزستور ذي التأثير الحقلي (FET) أحادية المرحلة، ويُستخدم عادةً كمُخفّف للجهد . في هذه الدائرة (NMOS)، يعمل طرف البوابة للترانزستور كمدخل للإشارة، والمصدر كمخرج، والمصرف مشترك بين المدخل والمخرج، ومن هنا جاءت تسميته. نظرًا لانخفاض اعتماد كسب الجهد على مقاومة الحمل، يُمكن استخدامه لتشغيل أحمال ذات مقاومة منخفضة، مثل مكبر الصوت. الدائرة المُماثلة في هذه الدائرة هي مُضخّم المُجمّع المشترك ، والذي يُطلق عليه أيضًا اسم "المُثبّت".

بالإضافة إلى ذلك، تُستخدم هذه الدائرة لتحويل المعاوقات . على سبيل المثال، تُخفَّض مقاومة ثيفينين لمجموعة من مُتّبع الجهد المُشغَّل بمصدر جهد ذي مقاومة ثيفينين عالية إلى مقاومة خرج مُتّبع الجهد فقط (مقاومة صغيرة). هذا التخفيض في المقاومة يجعل المجموعة مصدر جهد مثاليًا. في المقابل، يُقدِّم مُتّبع الجهد المُوصَّل بين مرحلة القيادة وحمل عالٍ (أي مقاومة منخفضة) مقاومة لا نهائية (حمل منخفض) لمرحلة القيادة، وهو ما يُمكِّن من ربط إشارة الجهد بحمل كبير.

عند الترددات المنخفضة، يتميز مُتابع المصدر الموضح على اليمين بالخصائص التالية للإشارات الصغيرة . ^{[ 1 ]}

	تعريف	تعبير	التعبير التقريبي	شروط
كسب التيار	${\displaystyle A_{\text{i}}={\frac {i_{\text{out}}}{i_{\text{in}}}}}$	${\displaystyle \infty }$	${\displaystyle \infty }$
كسب الجهد	${\displaystyle A_{\text{v}}={\frac {v_{\text{out}}}{v_{\text{in}}}}}$	${\displaystyle {\frac {g_{m}R_{\text{S}}}{g_{m}R_{\text{S}}+1}}}$	${\displaystyle \approx 1}$	${\displaystyle g_{m}R_{\text{S}}\gg 1}$
مقاومة الدخل	${\displaystyle r_{\text{in}}={\frac {v_{\text{in}}}{i_{\text{in}}}}}$	${\displaystyle \infty }$	${\displaystyle \infty }$
مقاومة الخرج	${\displaystyle r_{\text{out}}={\frac {v_{\text{out}}}{i_{\text{out}}}}}$	${\displaystyle R_{\text{S}}\parallel {\frac {1}{g_{m}}}={\frac {R_{\text{S}}}{g_{m}R_{\text{S}}+1}}}$	${\displaystyle \approx {\frac {1}{g_{m}}}}$	${\displaystyle g_{m}R_{S}\gg 1}$

المتغير g _m الذي لم يتم إدراجه في المخطط هو ناقلية الجهاز (عادة ما يتم إعطاؤها بوحدات سيمنز ).