تسو جاي كينغ ليو

تسو-جاي كينغ ليو ( بالصينية :劉金智潔، وُلدت في 4 يونيو 1963) هي أكاديمية أمريكية ومهندسة كهربائية تشغل حاليًا منصب رئيسة الأكاديمية الوطنية للهندسة . شغلت ليو سابقًا منصب عميدة كلية الهندسة بجامعة كاليفورنيا في بيركلي ، حيث كانت أيضًا أستاذة روي دبليو كارلسون للهندسة.

في جامعة كاليفورنيا، بيركلي ، تقود ليو فريقًا بحثيًا يستكشف تطوير أجهزة أشباه موصلات مبتكرة، وأجهزة ذاكرة غير متطايرة، وتقنية M/NEMS للدوائر منخفضة الطاقة للغاية. ينتمي فريقها إلى مركز بيركلي لأبحاث التقنيات الناشئة ومركز NSF للإلكترونيات الموفرة للطاقة في العلوم. وهي أيضًا عضو هيئة تدريس في معهد كافلي لعلوم النانو في بيركلي ^{[ 1 ]} ، وعضو هيئة تدريس منتسب في برنامج الدراسات العليا للعلوم والتكنولوجيا التطبيقية في بيركلي، ومجموعة الدراسات العليا في علوم وهندسة النانو.

وُلدت ليو في إيثاكا، نيويورك ، لأبوين أمريكيين من أصل تايواني كانا طالبين دراسات عليا في جامعة كورنيل . كان بحث والدها في مجال التنبؤ بالزلازل ، ولذلك أمضت معظم طفولتها في منطقة خليج سان فرانسيسكو . ^{[ 2 ]}

خلال دراستها الثانوية، أُتيحت لليو فرصة القيام بجولة في حرم مركز أبحاث بالو ألتو (PARC )، حيث نما اهتمامها بالحوسبة من خلال عرض توضيحي لجهاز زيروكس ألتو . ^{[ 3 ] [ 4 ]} حصلت على درجة البكالوريوس في العلوم ، ودرجة الماجستير في العلوم ، ودرجة الدكتوراه في الهندسة الكهربائية من جامعة ستانفورد في الأعوام 1984 و1986 و1994 على التوالي. ^{[ 5 ]}

بعد تخرجها من جامعة ستانفورد ، انضمت ليو إلى فريق البحث في مركز أبحاث زيروكس بالو ألتو (PARC). تميزت فترة عملها في المركز، من عام ١٩٩٢ إلى ١٩٩٦، بأبحاثها في مجال الترانزستورات الرقيقة متعددة البلورات . في أغسطس ١٩٩٦، انضمت ليو إلى جامعة بيركلي كعضو هيئة تدريس في قسم الهندسة الكهربائية وعلوم الحاسوب. ساهمت ليو في العديد من التطورات في مجال أجهزة وتقنيات أشباه الموصلات، وشاركت في تأليف أكثر من ٥٠٠ بحث علمي.

تشمل إسهامات ليو الرائدة العديد من مجالات البحث، لكنها ربما تُعرف أكثر بتطويرها تقنية الأغشية الرقيقة من السيليكون والجرمانيوم متعدد البلورات، والتي تُستخدم في الدوائر المتكاملة والأنظمة الدقيقة. كما شاركت ليو في اختراع ترانزستور FinFET ثلاثي الأبعاد (ترانزستور تأثير المجال ذو الزعانف)، وهو التصميم المستخدم في جميع رقائق المعالجات الدقيقة الرائدة اليوم. انتُخبت ليو عضواً في الأكاديمية الوطنية للهندسة عام 2017 "لإسهاماتها في ترانزستور تأثير المجال ذي الزعانف (FinFET) وتطبيقه في تقنية أشباه الموصلات المعدنية المؤكسدة التكميلية النانومترية (CMOS)". ^{[ 6 ]}

وهي تمتلك أكثر من 94 براءة اختراع في مجال أجهزة أشباه الموصلات وطرق التصنيع، مع 80 براءة اختراع معلقة اعتبارًا من عام 2017، 37 منها تم تخصيصها لشركة أسستها، وهي شركة Progressant Technologies، التي استحوذت عليها شركة Synopsys في عام 2004. ^{[ 7 ]}

بصفتها عميدة كلية الهندسة في جامعة بيركلي ، كانت ليو صريحةً في التزامها بتعزيز التنوع ودعم الشمولية والاحترام للنساء وأفراد الأقليات الممثلة تمثيلاً ناقصاً في مجال الهندسة. ^{[ 8 ]} قبل توليها منصب العميدة، شغلت ليو مناصب قيادية واسعة في بيركلي، حيث كانت مديرة هيئة التدريس لمختبر مارفيل لتصنيع النانو. ^{[ 9 ]} ومن عام 2008 إلى عام 2012، شغلت منصب العميدة المساعدة للبحوث في كلية الهندسة. كما ترأست قسم الهندسة الكهربائية من عام 2012 إلى عام 2014، وقسم الهندسة الكهربائية وعلوم الحاسوب من عام 2014 إلى عام 2016. ^{[ 10 ]}

كانت سابقًا مديرة أولى للهندسة في مجموعة التكنولوجيا المتقدمة في شركة سينوبسيس . ^{[ 11 ]}

من عام 2016 إلى عام 2025، شغل ليو منصب عضو في مجلس إدارة شركة إنتل . ^{[ 12 ]}

في عام 2024 حصلت على ميدالية مؤسسي معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات . ^{[ 13 ]}

في سبتمبر 2024، تم ترشيحها لرئاسة الأكاديمية الوطنية للهندسة . ^{[ 14 ]} أُعلن رسمياً عن انتخابها في مايو 2025، على أن تبدأ فترة رئاستها في 1 يوليو 2025. ^{[ 15 ]}

تتوفر قائمة كاملة بمؤلفات ليو على الإنترنت. ^{[ 16 ]} فيما يلي قائمة بأكثر أعمالها استشهادًا:

• هيساموتو، د.؛ وين-تشين لي؛ كيدزييرسكي، ج.؛ تاكيوتشي، هـ.؛ أسانو، ك.؛ كو، س.؛ أندرسون، إ.؛ تسو-جاي كينغ؛ بوكور، ج. (2000). "FinFET - ترانزستور MOSFET ثنائي البوابة ذاتي المحاذاة قابل للتطوير إلى 20 نانومتر". معاملات IEEE للأجهزة الإلكترونية . 47 (12): 2320-2325 . Bibcode : 2000ITED...47.2320H . doi : 10.1109/16.887014 . ISSN 0018-9383 . 
• تشوي، واي؛ بارك، بي؛ لي، جيه دي؛ ليو، تي كيه (2007). "ترانزستورات تأثير المجال النفقية (TFETs) ذات تأرجح تحت العتبة (SS) أقل من 60 مللي فولت/عقد". رسائل أجهزة الإلكترونيات IEEE . 28 (8): 743-745 . رمز Bibcode : 2007IEDL...28..743C . doi : 10.1109/LED.2007.901273 . ISSN 0741-3106 . S2CID 8811022 .  
• هوانغ، تشونغ تشنغ؛ تساي، وين تا؛ لي، جو تونغ (فبراير 1996). "تعديل سطح الفولاذ الكربوني بطبقات من الفولاذ المقاوم للصدأ المحتوي على النيتروجين والمعالج بالليزر". تكنولوجيا الأسطح والطلاءات . 79 ( 1-3 ): 67-70 . doi : 10.1016/0257-8972(95)02438-7 .
• بين يو؛ ليلاند تشانغ؛ أحمد، س.؛ هايهونغ وانغ؛ بيل، س.؛ تشيه-يوه يانغ؛ تابيري، س.؛ تشاو هو؛ تشي شيانغ (2002). "تصغير ترانزستورات FinFET إلى طول بوابة 10 نانومتر". ملخص. الاجتماع الدولي لأجهزة الإلكترونيات . الصفحات 251-254 . CiteSeerX 10.1.1.136.3757 . doi : 10.1109/IEDM.2002.1175825 . ISBN   0-7803-7462-2. S2CID 7106946 . 
• شوجوي هوانغ؛ وين-تشين لي؛ كو، سي.؛ هيساموتو، دي.؛ ليلاند تشانغ؛ كيدزييرسكي، جيه.؛ أندرسون، إي.؛ تاكيوتشي، إتش.؛ يانغ-كيو تشوي (2001). "ترانزستور FinFET ذو قناة P بتقنية أقل من 50 نانومتر". معاملات IEEE للأجهزة الإلكترونية . 48 (5): 880-886 . Bibcode : 2001ITED...48..880H . doi : 10.1109/16.918235 . ISSN 0018-9383 . 
• يو، يي-تشيا؛ كينغ، تسو-جاي؛ هو، تشنمينغ (27-11-2002). "محاذاة نطاق المعدن-العازل وتأثيرها على تقنية أشباه الموصلات المعدنية المؤكسدة التكميلية ذات البوابة المعدنية". مجلة الفيزياء التطبيقية . 92 (12): 7266-7271 . Bibcode : 2002JAP....92.7266Y . doi : 10.1063/1.1521517 . ISSN 0021-8979 . 
• يانغ-كيو تشوي؛ ليندرت، ن.؛ بي تشي شوان؛ تانغ، س.؛ دايوون ها؛ أندرسون، إ.؛ تسو-جاي كينغ؛ بوكور، ج.؛ تشنمينغ هو (2001). "تقنيات CMOS FinFET دون 20 نانومتر". الاجتماع الدولي لأجهزة الإلكترونيات. الملخص الفني (رقم التصنيف 01CH37224) . الصفحات  19.1.1–19.1.4. doi : 10.1109/IEDM.2001.979526 . ISBN 0-7803-7050-3. S2CID 8908553 . 
• يو كاو؛ غروفز، آر إيه؛ زامدمر، إن دي؛ بلوشارت، جيه.-؛ واتشنيك، آر إيه؛ شوجوي هوانغ؛ كينغ، تي.-؛ تشنمينغ هو (2002). "نموذج دائرة مكافئة مستقل عن التردد للمحاثات الحلزونية المدمجة على الرقاقة" . وقائع مؤتمر IEEE للدوائر المتكاملة المخصصة لعام 2002 (رقم التصنيف 02CH37285) . الصفحات 217-220 . doi : 10.1109/CICC.2002.1012800 . ISBN  0-7803-7250-6. S2CID 6065522 . 

حصلت ليو على العديد من الجوائز تقديراً لمساهماتها البحثية:

• عضو منتخب في الأكاديمية الوطنية للمخترعين (2018) ^{[ 17 ]}
• عضو منتخب في الأكاديمية الوطنية للهندسة (2017) ^{[ 18 ]}
• زميل في معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات
• جائزة داربا للإنجاز التقني البارز، لعملها على تقنية FinFET (2000).
• جائزة IEEE Kiyo Tomiyasu، لإسهاماتها في ترانزستورات MOS النانوية (2010)
• جائزة البحث المتميز، جمعية صناعة أشباه الموصلات (2014)
• عضو في قاعة مشاهير وادي السيليكون ^{[ 19 ]}
• جائزة الباحث المتميز في تكنولوجيا النانو، إنتل (2012) ^{[ 20 ]}
• جائزة الباحث الجامعي SIA (2012) ^{[ 21 ]}
• جائزة جمعية آسيا لتغيير قواعد اللعبة في الغرب (2021) ^{[ 22 ]}

كما حظيت بالتقدير لمساهماتها في التدريس والإرشاد كعضو في هيئة التدريس:

• جائزة التميز في التدريس، الهندسة الكهربائية
• جائزة الإرشاد المتميز لأعضاء هيئة التدريس، جامعة كاليفورنيا في بيركلي
• جائزة أرسطو، مؤسسة أبحاث أشباه الموصلات