لي فانغوا

وُلدت لي فانغهوا في هونغ كونغ عام ١٩٣٢. ولأن والدها كان شريكًا تجاريًا في هونغ كونغ، استقرت العائلة هناك في البداية. شارك والدها، لي جيونغ، في ثورة ١٩١١ في شبابه، وشغل منصب لواء في الجيش الرابع التابع للجيش الثوري الوطني . في عام ١٩٣٧، وبعد حادثة لوغوتشياو ، وللهرب من الغزاة اليابانيين، انتقلت العائلة إلى مقاطعة ديتشينغ في مقاطعة غوانغدونغ. في عام ١٩٣٨، عادت والدتها إلى هونغ كونغ برفقة شقيقيها، دون والدها، حرصًا على دراسة الأطفال. بعد عام، انتقلت العائلة إلى شنغهاي مع جيرانها. وبعد ثلاث سنوات، انتقلت إلى بكين، إلى منزل جدتها. (مدرسة بكين المتوسطة رقم ٥٦). في عام ١٩٤٧، عادت والدتها بها وبشقيقها الأصغر إلى غوانغتشو، ورتب والدها لها الالتحاق بالصف الثاني في مدرسة بيداو الثانوية للبنات.

في عام ١٩٤٩، بعد تخرجها من المدرسة الثانوية، أُرسلت لي فانغهوا إلى قسم الفيزياء بجامعة لينغنان ، وفي الوقت نفسه قُبلت في قسم علم الفلك بجامعة صن يات صن . في سبتمبر، التحقت بجامعة لينغنان. ولأن الأساتذة كانوا يستخدمون اللغة الإنجليزية في محاضراتهم، كانت تستشير الكتب الإنجليزية بعد انتهاء الحصص، مما حسّن من قدرتها على القراءة باللغة الإنجليزية. في أكتوبر، تحررت مدينة قوانغتشو وافتُتحت المدارس الحكومية، فانتقلت إلى قسم علم الفلك بجامعة صن يات صن.

• في عام 1950، تم قبول لي فانغهوا في قسم الفيزياء بجامعة ووهان كطالب في السنة الأولى.
• في عام ١٩٥٢، اختارت الدولة طلاب السنة الثانية من الكليات والجامعات لخوض امتحان الدراسة في الاتحاد السوفيتي. رشّحت جامعة ووهان لي فانغهوا لخوض الامتحان، وقُبلت. في مارس، التحقت لي فانغهوا بالقسم التحضيري في مدرسة بكين للغة الروسية، متخصصةً في اللغة الروسية. في خريف العام نفسه، سافرت إلى الاتحاد السوفيتي والتحقت بقسم الفيزياء في جامعة لينينغراد ، وهي جامعة حكومية تابعة للاتحاد السوفيتي السابق . كان من بين زملائها ثلاثة طلاب سابقين من قسم الفيزياء بجامعة تسينغهوا ، وهم: تشينغ تشنغروي، وغو ييفان، وهوانغ شنغنيان. سعياً لتقصير مدة الدراسة، ناضلت لي فانغهوا والطلاب الثلاثة من أجل الانتقال إلى السنة الثانية معاً، وحصلوا على موافقة عميد القسم.
• في عام 1955، قامت لي فانغهوا بالتدريس في آسيا الوسطى. تحت إشراف رومس (М.Α.Яумшь)، بدأت في إعداد أطروحة تخرجها، والتي كان عنوانها "دراسة حيود الإلكترون للأغشية الرقيقة من معدن البزموت المتبخر في الموقع".
• في عام 1956، تخرج لي فانغهوا من قسم الفيزياء بجامعة لينينغراد في الاتحاد السوفيتي.
• في عام 1960، رتب شي روي (مدير معهد الفيزياء التابع للأكاديمية الصينية للعلوم آنذاك) للي فانغهوا إجراء بحث مستقل حول حيود الإلكترون، حتى تتمكن من نقل المعرفة العلمية التي اكتسبتها في الاتحاد السوفيتي إلى الصين. بحث تحليل بنية "حيود الإلكترون في البلورة الأحادية".
• أدت الثورة الثقافية (1966-1976) إلى انقطاع دراستها؛ وفي نهاية المطاف، لجأت إلى مكتبة جامعة لينينغراد لمواصلة دراستها. ^{[ 4 ]}
• في أكتوبر 1982، ذهب لي فانغهوا إلى قسم الفيزياء التطبيقية بجامعة أوساكا في اليابان كباحث زائر (حتى مايو 1983)، حاملاً معه معدنين جديدين من إنتاج محلي: خام نهر اليانغتسي وخام الباستنيسيوم، على أمل استخدام المجهر الإلكتروني الياباني فائق الدقة. وقد أسفرت هذه العملية عن اكتشافات جديدة في المعادن المحلية.[6]

في أوائل الستينيات، أجرى لي فانغهوا أول تجربة حيود إلكتروني في الصين لتحديد بنية بلورة أحادية. وفي الصين، حدد لأول مرة موقع ذرات الهيدروجين في البلورة. ولا تزال المراجع ذات الصلة تُستشهد بها من قبل الزملاء الأجانب.[8]

في سبعينيات القرن العشرين، تعاونت لي فانغهوا وفان هايفو لاستكشاف دمج أساليب حيود الأشعة السينية مع المجهر الإلكتروني عالي الدقة، وابتكرتا نظرية وتقنية جديدتين لمعالجة الصور في هذا المجال. لاحقًا، طورت لي فانغهوا وطلابها تقنية معالجة فك الالتفاف القائمة على مبدأ أقصى إنتروبيا، والتي تُعدّ وسيلةً مهمةً لتحديد البنية البلورية الدقيقة. وقد طُبقت هذه التقنية بنجاح لتحديد البنية البلورية لمواد مثل الموصلات الفائقة ذات درجة الحرارة العالية.[8]

أثناء دراستها في اليابان في ثمانينيات القرن الماضي، لخصت لي فانغهوا قواعد تجريبية جديدة وطورت طريقة لتحديد مواقع الذرات الخفيفة. وبناءً على ذلك، وبعد عودتها إلى الصين، اقترحت نظرية جديدة لتباين الصور: "تقريب الجسم ذي الطور الضعيف الزائف". أوضحت هذه النظرية العلاقة بين شدة الصورة وسُمك البلورة لأول مرة، وكشفت عن قانون تغير شدة الصور الذرية المختلفة. وهي الأساس النظري لتقنية معالجة الصور المذكورة آنفًا. وبتوجيه من هذه النظرية، رصدت لي فانغهوا وزملاؤها ذرات الليثيوم في البلورات لأول مرة تجريبيًا. إضافةً إلى ذلك، شاركت في الأبحاث المبكرة للمواد فائقة التوصيل ذات درجة الحرارة العالية باستخدام المجهر الإلكتروني عالي الدقة، وكانت من أوائل المجموعات في العالم التي أبلغت عن وجود أو عدم وجود هياكل تعديل متناسبة في موصلات البزموت الفائقة.[8]

اكتشف فريق البحث بقيادة لي فانغهوا لأول مرة عملية التحول شبه المستمر بين أشباه البلورات والبلورات، وقدمت تفسيراً نظرياً لها. استخدمت لي فانغهوا مجال الإجهاد الطوري الفرعي لاستنتاج بعض الصيغ التي تعكس العلاقة بين أشباه البلورات والبلورات، وعلى هذا الأساس، اقترحت طريقة جديدة لتحديد بنية أشباه البلورات، بالإضافة إلى تحديد الإجهاد الطوري الفرعي الموضعي فيها. وقد طُبقت هذه الطريقة بنجاح على أشباه بلورات Al-Cu-Li وAl-Mn-Si.[8]

اقترحت لي فانغهوا، في إطار تطويرها لمجهر الإلكترون ذي الانبعاث الميداني، اتجاهًا بحثيًا جديدًا لقياس عيوب البلورات بدقة ذرية. وقد نجحت حتى الآن في قياس الانخلاع بزاوية 60 درجة عند سطح التماس بين طبقة SiGe/Si الرقيقة، حيث قُسِّم إلى انخلاعين غير مكتملين بزاوية 90 درجة و30 درجة، بالإضافة إلى عيب تكديس محصور بينهما. ويُعد هذا التقرير الأول من نوعه الذي يُوثِّق عيوبًا بدقة ذرية عند سطح التماس بين طبقة SiGe/Si الرقيقة.[8]