وحدة الذاكرة

في مجال الحوسبة ، وحدة الذاكرة أو شريحة ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) هي لوحة دوائر مطبوعة يتم تركيب دوائر الذاكرة المتكاملة عليها . ^{[ 1 ]}

تتيح وحدات الذاكرة سهولة التركيب والاستبدال في الأنظمة الإلكترونية، وخاصة أجهزة الكمبيوتر مثل الحواسيب الشخصية ومحطات العمل والخوادم . كانت وحدات الذاكرة الأولى ذات تصميمات خاصة بطراز معين من أجهزة الكمبيوتر من شركة مصنعة محددة. لاحقًا، تم توحيد معايير وحدات الذاكرة من قبل منظمات مثل JEDEC، وأصبح بالإمكان استخدامها في أي نظام مصمم لاستخدامها.

تشمل الخصائص المميزة لوحدات ذاكرة الكمبيوتر الجهد والسعة والسرعة (أي معدل البت ) وعامل الشكل .

تشمل أنواع وحدات الذاكرة ما يلي:

• وحدة ذاكرة TransFlash
• وحدة الذاكرة المضمنة (SIMM)
• وحدة ذاكرة مزدوجة الخط (DIMM)
  • تُعد وحدات ذاكرة رامبوس مجموعة فرعية من وحدات DIMM، ولكن يُشار إليها عادةً باسم RIMM.
  • SO-DIMM ، وحدة ذاكرة DIMM صغيرة الحجم، وهي نسخة أصغر من وحدة DIMM، تُستخدم في أجهزة الكمبيوتر المحمولة.
• وحدة ذاكرة مضغوطة ملحقة ، أرق من وحدة SO-DIMM

تتكون الذاكرة الكبيرة الموجودة في الحواسيب الشخصية ومحطات العمل وأجهزة ألعاب الفيديو غير المحمولة عادةً من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM). أما أجزاء أخرى من الحاسوب، مثل ذاكرة التخزين المؤقت، فتستخدم عادةً ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة (SRAM ). تُستخدم كميات صغيرة من ذاكرة SRAM أحيانًا في نفس غلاف ذاكرة DRAM. ^{[ 2 ]} ومع ذلك، نظرًا لأن ذاكرة SRAM تتميز بتسريب طاقة عالٍ وكثافة منخفضة، فقد تم مؤخرًا استخدام ذاكرة DRAM المكدسة على رقاقة واحدة لتصميم ذاكرة تخزين مؤقت للمعالج بسعة عدة ميغابايت. ^{[ 3 ]}

من الناحية المادية، يتم تغليف معظم ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) براتنج الإيبوكسي الأسود .

تُصنع ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) على شكل دوائر متكاملة (ICs) مُلصقة ومثبتة في عبوات بلاستيكية مزودة بدبابيس معدنية للتوصيل بإشارات التحكم والناقلات. في البداية، كانت دوائر DRAM المتكاملة تُثبّت عادةً إما مباشرةً على اللوحة الأم أو على بطاقات توسعة ISA ؛ لاحقًا، جُمعت في وحدات قابلة للتوصيل متعددة الرقائق (DIMMs، SIMMs، إلخ). من أنواع الوحدات القياسية:

• شريحة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (الدائرة المتكاملة أو IC)
  • حزمة مزدوجة مضمنة ( DIP /DIL)
  • حزمة متعرجة مضمنة ( ZIP )
• وحدات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)
  • حزمة دبوس واحد مضمنة ( SIPP )
  • وحدة ذاكرة أحادية الخط ( SIMM )
  • وحدة ذاكرة مزدوجة الخط ( DIMM )
  • وحدة الذاكرة المضمنة من رامبوس ( RIMM )، وهي تقنياً وحدات DIMM ولكنها تسمى RIMM بسبب فتحتها الخاصة.
  • تُستخدم وحدات الذاكرة الصغيرة الحجم ( SO-DIMM )، والتي يبلغ حجمها حوالي نصف حجم وحدات الذاكرة العادية، في الغالب في أجهزة الكمبيوتر المحمولة، وأجهزة الكمبيوتر الشخصية صغيرة الحجم (مثل اللوحات الأم Mini-ITX )، وطابعات المكاتب القابلة للترقية، وأجهزة الشبكات مثل أجهزة التوجيه.
  • وحدة ذاكرة RIMM صغيرة الحجم (SO-RIMM). نسخة أصغر من وحدة RIMM، تُستخدم في أجهزة الكمبيوتر المحمولة. من الناحية الفنية، تُصنف ضمن وحدات SO-DIMM، ولكنها تُسمى SO-RIMM نظرًا لفتحة التثبيت الخاصة بها.
  • وحدة الذاكرة المرفقة المضغوطة ( CAMM )، وهو معيار طورته شركة Dell ، والذي يستخدم مصفوفة شبكة أرضية بدلاً من موصل الحافة الأكثر شيوعًا.
• وحدات ذاكرة الوصول العشوائي المكدسة مقابل وحدات ذاكرة الوصول العشوائي غير المكدسة
  • تحتوي وحدات ذاكرة الوصول العشوائي المكدسة على شريحتين أو أكثر من ذاكرة الوصول العشوائي مكدسة فوق بعضها البعض. يتيح ذلك تصنيع وحدات كبيرة باستخدام رقائق سيليكون منخفضة الكثافة وأقل تكلفة. تستهلك وحدات الشرائح المكدسة طاقة أكبر، وتميل إلى العمل بدرجة حرارة أعلى من الوحدات غير المكدسة. يمكن تغليف الوحدات المكدسة باستخدام رقائق الدوائر المتكاملة من نوع TSOP القديمة أو BGA الأحدث . يتم توصيل رقائق السيليكون باستخدام تقنية التوصيل السلكي القديمة أو تقنية TSV الأحدث.
  • توجد العديد من مناهج ذاكرة الوصول العشوائي المكدسة المقترحة، مع TSV وواجهات أوسع بكثير، بما في ذلك Wide  I/O و Wide  I/O  2 و Hybrid Memory Cube و High Bandwidth Memory .

حزم ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الشائعة كما هو موضح على اليمين، من الأعلى إلى الأسفل (الأنواع الثلاثة الأخيرة غير موجودة في الصورة الجماعية، والنوع الأخير متوفر في صورة منفصلة)، هذه القائمة مرتبة ترتيبًا زمنيًا تقريبًا:

• DIP 16-pin (شريحة DRAM، عادةً ما تكون ذاكرة DRAM مسبقة الوضع السريع للصفحة (FPRAM))
• SIPP 30-pin (عادةً FPRAM)
• وحدة SIMM ذات 30 سنًا (عادةً ما تكون FPRAM)
• SIMM 72-pin (غالباً ما تكون ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ذات البيانات الممتدة (EDO DRAM) ولكن ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية القابلة للبرمجة (FPRAM) ليست نادرة)
• وحدة ذاكرة DIMM ذات 168 سنًا (معظمها ذاكرة SDRAM ولكن بعضها كان ذاكرة DRAM ذات إخراج بيانات ممتد (EDO DRAM))
• DIMM 184-pin ( DDR SDRAM )
• RIMM 184-pin ( RDRAM )
• DIMM 240-pin ( DDR2 SDRAM و DDR3 SDRAM )
• وحدة ذاكرة DIMM ذات 288 سنًا (ذاكرة DDR4 SDRAM وذاكرة DDR5 SDRAM )

وحدات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية SO-DIMM الشائعة:

• 72 دبوس (32 بت)
• 144 طرفًا (64 بت) يستخدم لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة من نوع SO-DIMM
• موصل ذو 200 طرف (72 بت) يستخدم لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة من نوع SO-DIMM DDR وذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة من نوع SO-DIMM DDR2
• 204 دبوس (64 بت) يستخدم لـ SO-DIMM DDR3 SDRAM
• موصل ذو 260 سنًا مخصص لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة من نوع SO-DIMM DDR4
• يستخدم 262 طرفًا لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة من نوع SO-DIMM DDR5

تُعرّف JEDEC رمزًا موجزًا ​​يُطبع على ملصقات وحدات الذاكرة لوصف سرعتها وحجمها وتوافقها التقني. انظر معايير ذاكرة JEDEC §  ملصق المنتج .

• قائمة مصنعي وحدات ذاكرة الوصول العشوائي (RAM)
• ذاكرة الوصول العشوائي (RAM)